Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES M?XIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 120 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 60 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 25 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 ?C

CARACTER?STICAS EL?CTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 31 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.022 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220