Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES M?XIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 600 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 9.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 ?C

CARACTER?STICAS EL?CTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 57 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.73 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220F