Número de Parte: STP20NM60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES M?XIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 192 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 600 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 ?C

CARACTER?STICAS EL?CTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 5 V

Carga de compuerta (Qg): 39 nC

Tiempo de elevación (tr): 20 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 350 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.29 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220