Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES M?XIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 600 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 ?C
CARACTER?STICAS EL?CTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de compuerta (Qg): 57 nC
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.73 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220F